본 발명은 MX2(M은 전이 금속, X는 산소 이외의 칼코겐 원자)로 나타나는 전이 금속 디칼코제나이드로 이루어지는 박막이 기재 상에 형성된 반도체 재료에 관한 것이다. 본 발명에서는, 박막 상에, 금속 N으로 이루어지는 금속 나노 입자를 수식함으로써, 전이 금속 디칼코제나이드 박막 표면의 결함 부위를 수식하고, 이에 의해 박막의 반도체 특성이 향상된다. 이 금속 나노 입자는, 귀금속의 나노 입자가 바람직하다. 또한, 기재 상의 전이 금속 디칼코제나이드 박막의 전이 금속 M은, Pt, Pd 중 어느 하나의 황화물, 셀레늄화물, 테루륨화물이 바람직하다. 그리고, 금속 나노 입자의 수식 공정은, 원자층 증착법(ALD)을 적용하는 것이 특히 바람직하다.