본 발명은, 기재와, 상기 기재 상에 형성된 반도체막을 포함하는 수광층을 포함하는 광전 변환 소자 재료에 관한 것이다. 이 수광층을 형성하는 반도체막은, Ag2-xBixSx+1(x는 0 또는 1의 정수임)을 포함하고, 결정자 직경이 10nm 이상 40nm 이하이다. 수광층은, 상기 반도체 나노 입자가 분산매에 분산되어 이루어지는 잉크를 기재에 도포한 후, 200℃ 이상 350℃ 이하에서 소성시킴으로써 제조 가능하다. 본 발명에 관한 광전 변환 소자 재료는 근적외 영역의 파장 광에 대한 흡수성을 갖고, 광 응답성이 우수하다.