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산학협력단

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제목
에피택셜 웨이퍼, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
출원인
연세대학교 산학협력단
출원일
2023.04.05
공개일
2024.10.14
게시글 내용
 에피텍셜 웨이퍼가 개시된다. 에피텍셜 웨이퍼는 기판; 및 교대로 적층된 제1층 및 제2층을 구비하고, 상기 기판 상에 배치된 적층 구조체를 포함하고, 상기 제1층은 하기 화학식 1-1 내지 1-5 중 선택된 어느 하나의 화합물로 형성되고, 상기 제2층은 하기 화학식 2의 화합물로 형성된다. [화학식 1-1] Si1-xGex (m003c#x≤1.0) [화학식 1-2] Si1-x-yGexBy (m003c#x003c#1.0, 0003c#y≤0.4, 0.2003c#x+y≤1.0). [화학식 1-3] Si1-x-zGexPz (m003c#x003c#1.0, 0003c#z≤0.4, 0.2003c#x+z≤1.0) [화학식 1-4] Si1-x-zGexCz (m003c#x003c#1.0, 0003c#z≤0.4, 0.2003c#x+z≤1.0) [화학식 1-5] Si1-x-y-zGexByPz (0.2003c#x003c#1.0, 0003c#y≤0.4, 0003c#z≤0.4, 0.2003c#x+y+z≤1.0) [화학식 2] Si1-aGea (0003c#a≤m) 

에피택셜 웨이퍼, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 대표 이미지

첨부
공개전문PDF
  • 자료출처 : KIPRIS (https://www.kipris.or.kr)
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    연세대학교 산학협력단 본교 산학협력단 지식재산팀 지식재산팀 양지혜 팀장
    (02-2123-5138 / jh.yan@yonsei.ac.kr)
    연세대학교 원주산학협력단 원주산학협력단 기술경영팀 기술경영팀 오정환 팀장
    (033-760-5251 ~ 5252 / WJDGHKSA@yonsei.ac.kr)