- 제목
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에피택셜 웨이퍼, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
- 출원인
- 연세대학교 산학협력단
- 출원일
- 2023.04.05
- 공개일
- 2024.10.14
- 게시글 내용
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에피텍셜 웨이퍼가 개시된다. 에피텍셜 웨이퍼는 기판; 및 교대로 적층된 제1층 및 제2층을 구비하고, 상기 기판 상에 배치된 적층 구조체를 포함하고, 상기 제1층은 하기 화학식 1-1 내지 1-5 중 선택된 어느 하나의 화합물로 형성되고, 상기 제2층은 하기 화학식 2의 화합물로 형성된다. [화학식 1-1] Si1-xGex (m003c#x≤1.0) [화학식 1-2] Si1-x-yGexBy (m003c#x003c#1.0, 0003c#y≤0.4, 0.2003c#x+y≤1.0). [화학식 1-3] Si1-x-zGexPz (m003c#x003c#1.0, 0003c#z≤0.4, 0.2003c#x+z≤1.0) [화학식 1-4] Si1-x-zGexCz (m003c#x003c#1.0, 0003c#z≤0.4, 0.2003c#x+z≤1.0) [화학식 1-5] Si1-x-y-zGexByPz (0.2003c#x003c#1.0, 0003c#y≤0.4, 0003c#z≤0.4, 0.2003c#x+y+z≤1.0) [화학식 2] Si1-aGea (0003c#a≤m)
- 첨부
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