본 발명은 양자터널 도약 특성을 갖는 단사정계 결정구조의 강상 관계 산화물 물질 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 보다 상세하게는 NiWO4 물질의 양이온 위치에 다른 금속원자인 Mg, Mn, Co, V, Fe, Ta 및 Mo로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나를 치환 도핑하여 조성을 제어함으로써, 전자간 상호관계를 유지한 상태에서 활성화 에너지를 조절하고, 이를 통해 강상 관계 산화물은 제어된 활성화 에너지에 맞는 전기적 전도도를 갖게 하여 활용도를 향상시키는 방법에 관한 것이다.
