본 발명은 산소 결손을 포함하는 주석 산화물(SnO2-x, 0 003c# x 003c# 1)이고, 상기 산소 결손은 산화된 흑린 양자점(oxidized black phosphorus quantum dot, O-BP)에 의해 부동화(passivation)된 것을 특징으로 하는 할라이드 페로브스카이트 태양전지용 전자 수송층 및 이를 포함하는 페로브스카이트 태양전지에 관한 것이다. 이에 의하여, 본 발명의 페로브스카이트 태양전지용 전자수송층은 산소 결손을 P=O 결합이 다량 함유된 산화된 흑린 양자점(O-BP)으로 부동화하여 계면의 SnO2-x에서 산소 원자의 결손으로 페로브스카이트 구조체에서 아이오딘이 고정되지 못하고 아이오딘 침입 결함 (iodine interstitial, Ii)이 발생하여 δ-FAPbI3나 PbI2와 같은 태양전지에 적합하지 않은 반도체 물성을 갖는 구조체로 상 변화를 유도하는 것을 방지할 수 있고, 이를 도입한 페로브스카이트 태양전지는 광효율이 향상되고 열안정성과 구동안정성이 향상될 수 있다.