메모리 장치는, 기판 상에 배치되며 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 도전 라인; 상기 복수의 제1 도전 라인 상에 배치되며 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 도전 라인; 및 상기 복수의 제1 도전 라인과 상기 복수의 제2 도전 라인 사이에 각각 배치되는 복수의 제1 메모리 셀을 포함하고, 상기 복수의 제1 메모리 셀 각각은 스위칭 소자와 가변 저항 물질 패턴을 포함하고, 상기 스위칭 소자는 LaxNi1-xOy (0.13 ≤ x ≤ 0.30, 0.9 ≤ y ≤ 1.5)의 조성을 갖는 물질을 포함한다.
