본 발명에 따른 반도체 메모리 소자는, 본 발명에 따른 반도체 메모리 소자는, 기판 상에서 제1 수평 방향을 따라서 배치되는 소스층, 반도체 돌출 구조체를 포함하는 반도체층, 및 드레인층, 상기 기판 상에서 상기 제1 수평 방향을 따라 연장되며, 상기 드레인층에 연결되는 하부 전극층, 커패시터 유전막, 및 상부 전극층을 포함하는 셀 커패시터, 상기 기판 상에서 수직 방향으로 연장되며 상기 소스층에 연결되는 비트 라인, 및 상기 반도체 돌출 구조체를 덮으며, 상기 반도체 돌출 구조체 상의 게이트 유전막, 및 상기 게이트 유전막 상의 게이트 전극막을 포함하는 게이트 구조체를 포함하며, 상기 드레인층을 향하는 상기 반도체 돌출 구조체의 일단의 제1 두께는, 상기 소스층을 향하는 상기 반도체 돌출 구조체의 타단의 제2 두께보다 큰 값을 가지고, 상기 소스층은, 상기 반도체 돌출 구조체의 타단에서 제2 두께를 가지되, 상기 제2 두께보다 큰 제3 두께가 최대 두께이다.