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본 발명의 일 실시예에 따른 포토트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 전극 상에 배치된 반도체층, 게이트 전극과 반도체층 사이에 배치된 게이트 절연층, 소스 전극과 드레인 전극 및 소스 전극, 반도체층 및 드레인 전극 상에 배치되는 다공성 층을 포함한다. 포토트랜지스터가 복수의 홀이 정의된 다공성 층을 포함함으로써 포토트랜지스터로 제공되는 외부광을 포집하거나 내부 산란을 통해 반도체층으로 제공되는 외부광의 광량을 증가시킬 수 있다.
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