- 제목
- 금속 칼코게나이드 박막, 이를 포함하는 메모리 소자 및 상변화 이종층의 제조방법
- 출원인
- 삼성전자주식회사, 연세대학교 산학협력단
- 출원일
- 2022.08.09
- 공개일
- 2024.02.16
- 게시글 내용
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일 실시예에 따른 메모리 소자는 기판; 상기 기판 상에 형성된 제1전극; 상기 제1전극 상에 형성되며, 제1전극과 전기적으로 연결된 상변화 이종층; 및 상기 상변화 이종층 상에 형성된 제2전극을 포함하고, 상기 상변화 이종층은 하나 이상의 구속 물질층 및 하나 이상의 상변화 물질층을 포함하고, 상기 구속 물질층은 소정의 금속 칼코게나이드 박막을 포함한다.
- 첨부
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