실리콘 질화물을 선택적으로 식각하기 위한 식각 조성물과 이를 이용한 식각 방법 및 반도체 소자의 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 식각 조성물은 실리콘 산화물 및 다결정 실리콘 대비 실리콘 질화물의 식각 선택비를 높일 수 있는 식각 조성물로서, 무기산, 용매 및 첨가제를 포함할 수 있고, 상기 첨가제는 에폭시기(epoxy group)를 포함한 화합물 및 비닐기(vinyl group)를 포함한 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 에폭시기를 포함한 화합물은 글리시드(glycid), 알릴 글리시딜 에테르(allyl glycidyl ether), 에피클로로히드린(epichlorohydrin), 1,2-에폭시-3-페녹시프로페인(1,2-epoxy-3-phenoxypropane) 및 2,3-에폭시프로필 벤젠(2,3-epoxypropyl benzene) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 비닐기를 포함한 화합물은 브롬화비닐(vinyl bromide) 및 페닐 비닐 에테르(phenyl vinyl ether) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.