모바일 메뉴 닫기
 
전체메뉴
닫기
 

산학협력단

보유 특허 검색

제목
eDRAM 기반 메모리 셀 및 이를 포함하는 CIM
출원인
연세대학교 산학협력단
출원일
2022.05.26
공개일
2023.12.05
게시글 내용
 개시된 실시예는 라이트 워드라인이 활성화되면 라이트 비트라인을 통해 저장될 가중치 값에 따른 가중치 전압을 인가받아 시그널 노드로 전달하여 저장하고, 리드 워드라인이 활성화되면, 시그널 노드의 전압 레벨에 따라 리드 비트라인에 프리차지된 리드 전압이 리드 워드라인의 전압 레벨로 강하되도록 하는 가중치 저장 회로 및 데이터 인에이블 라인이 활성화되면 데이터 입력라인을 통해 입력 데이터의 값에 따른 입력 전압을 차지 노드로 전달하여 차지하고, 시그널 노드에 저장된 가중치 전압의 레벨에 따라 차지 노드를 디스차지하여 차지 노드가 입력 데이터와 가중치의 곱에 대응하는 전압을 갖도록 하며, 데이터 인에이블 라인이 재활성화되면 차지 노드의 전압 변화를 커플링에 의해 멀티플 워드라인으로 전달하는 MAC 연산 회로를 포함하는 eDRAM 기반 메모리 셀 및 이를 포함하는 CIM를 제공한다. 

eDRAM 기반 메모리 셀 및 이를 포함하는 CIM 대표 이미지

첨부
공개전문PDF
  • 자료출처 : KIPRIS (https://www.kipris.or.kr)
  • 키워드(검색어)별, 발명자별 특허(기술), 공개특허 한정 검색 가능
  • 연구분야별 비공개 특허(기술)은 지식재산권 담당자 별도 문의
  • 지식재산권 담당자
  • 관련 문의처
    보유특허 검색 페이지 및 담당자 정보 안내
    특허 출원인 (권리자) 전담부서 연락처
    연세대학교 산학협력단 본교 산학협력단 지식재산팀 지식재산팀 양지혜 팀장
    (02-2123-5138 / jh.yan@yonsei.ac.kr)
    연세대학교 원주산학협력단 원주산학협력단 기술경영팀 기술경영팀 오정환 팀장
    (033-760-5251 ~ 5252 / WJDGHKSA@yonsei.ac.kr)