반도체 소자는, 기판의 상부면으로부터 돌출되고, 제1 방향으로 연장되는 제1 액티브 패턴이 구비된다. 상기 기판 상에 상기 제1 액티브 패턴 측벽을 덮는 소자 분리 패턴이 구비된다. 상기 제1 액티브 패턴 상에, 수직 방향으로 서로 이격된 제1 실리콘 패턴들이 구비된다. 상기 제1 액티브 패턴 상에, 상기 제1 액티브 패턴의 상면으로부터 수직 방향으로 연장되고, 상기 제1 실리콘 패턴들의 측벽과 공통으로 접촉하고, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향의 측벽은 일부분이 돌출된 프로파일을 갖지 않는 제1 소스/드레인층이 구비된다. 상기 기판 상에, 상기 제1 실리콘 패턴들 사이의 갭을 채우면서 상기 제2 방향으로 연장되는 게이트 구조물을 포함한다.