본 발명은 반도체 구조체 내에 여기된 캐리어를 형성할 수 있도록 레이저광을 반도체 구조체에 입사하는 단계; 반도체 구조체 내 여기된 캐리어가 재결합하는 동안 반도체 구조체에 전자기파를 조사하는 단계; 반도체 구조체 내 여기된 캐리어와 반응하는 전자기파의 특성 정보를 측정하는 단계; 및 측정된 전자기파의 특성 정보를 포함하는 파라미터를 이용하여 반도체 구조체의 결함 밀도 또는 결함 분포를 판별하는 단계;를 포함하는, 반도체 구조체 결함 모니터링 방법을 제공한다.
