본 실시예들은 강유전체 소자 기반의 트랜지스터 쌍으로 이루어진 셀들을 포함하며, 쓰기 방해를 줄이기 위해 쓰기 전압의 반을 이용하는 쓰기 기법을 사용하고, 읽기와 동시에 XNOR 누적 동작을 수행하며, 각 셀에서 (+1, 0, -1)의 3진 데이터를 저장하고 있는 상태에서 (+1, 0, -1)의 3진 입력 데이터를 입력으로 받아 연산을 수행하므로 단위면적당 처리 가능한 데이터 비트를 증가시켜 효율성을 높일 수 있는 연산 메모리 구조 및 동작 방법을 제공한다.
