본 발명은 선택 소자 및 다중 레벨의 선택 소자를 구현하는 방법, 그리고 상기 선택 소자를 포함하는 비휘발성 메모리 장치에 관한 것으로, 상기 선택 소자는 선택 소자 물질층 및 상기 선택 소자 물질층의 인접한 면에 구비되는 저항층을 포함하는 하나 이상의 제1 선택 소자 영역; 및 선택 소자 물질층을 포함하되 저항층을 포함하지 않는 하나 이상의 제2 선택 소자 영역을 포함하고, 상기 하나 이상의 제1 선택 소자 영역 및 하나 이상의 제2 선택 소자 영역은 병렬로 연결된다. 본 발명에 따른 선택 소자는 타 소자와의 직렬 구조에서 복수의 on/off 가 가능한 다중 레벨을 구현할 수 있으며, 미동작시 전류 레벨을 낮출 수 있다.