일 실시예에 따른 트랜지스터는 기판 상에 배치된 반도체층, 상기 반도체층과 중첩하는 게이트 전극, 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 반도체층은, 제1 물질에 도핑된 제2 물질을 포함하고, 상기 제1 물질은 화학식 XYa로 표현되는 화합물을 포함하고, 상기 X는 Mo, W, Zr 및 Re 중 하나이며, 상기 Y는 S, Se 및 Te 중 하나이고, 상기 a는 1 이상의 자연수이고, 상기 제2 물질은 W, Hf, Ta, Ti, Pt, Ni, Ga 및 Zr 중 적어도 어느 하나를 포함하며, 상기 제2 물질은 상기 제1 물질과 상이한 원소를 포함한다.