메모리 장치와 메모리 장치의 리드 방법이 제공된다. 메모리 장치는, 제1 SRAM 셀, 제1 SRAM 셀과 물리적으로 분리된 제2 SRAM 셀, 제1 및 제2 SRAM 셀에 연결되고, 제1 노드와 제2 노드의 전압을 이용하여 제1 및 제2 SRAM 셀 중 어느 하나에 저장된 데이터를 센싱하는 센스 앰프, 및 센스 앰프에 연결되어 출력 전압을 출력하는 멀티플렉서를 포함하되, 제1 SRAM 셀은, 제1 SRAM 셀에 저장된 데이터를 기초로 게이팅되고, 제1 소스 라인에 연결된 제1 리드 구동 트랜지스터와, 제어 신호를 기초로 게이팅되어 제1 소스 라인과 제1 리드 비트 라인을 연결시키는 제1 리드 트랜지스터를 포함하고, 멀티플렉서는, 일단이 제1 소스 라인에 연결되고, 타단이 접지되고, 게이트 단이 제1 노드에 연결되는 제1 키퍼 트랜지스터를 포함할 수 있다.