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저항 변화 메모리 장치 및 그 구동방법에 관한 기술이다. 본 실시예의 저항 변화 메모리 장치는 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 위치되는 제 1 저항층; 상기 제 1 저항층 상에 위치되는 제 2 전극; 상기 제 2 전극 상부에 위치되며 분극 특성을 갖는 제 2 저항층; 및 상기 제 2 저항층 상부에 위치되는 제 3 전극을 포함하며, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 저항층의 분극 특성에 따라 분극이 발생되는 도전층으로 구성된다.
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