반도체 소자의 제조 방법은 기판을 준비하는 단계, 기판 상에 결정화된 이차원 층상 구조를 갖고, 제1 영역, 제1 영역과 이격되는 제2 영역 및 제1 영역과 제2 영역 사이의 제3 영역을 포함하는 액티브층을 형성하는 단계, 액티브층의 제1 영역 및 제2 영역 상에 각각 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 액티브층에 차아 염소산 나트륨(NaOCl)을 도포하여 액티브층을 습식 식각하여 액티브 패턴을 형성하는 단계 및 정제수 및 비활성 기체를 이용하여 습식 식각에 의해 생긴 잔여물을 제거하는 단계를 포함한다.
