본 발명은 게르마늄-게르마늄 산화막-고유전율 절연막의 제조방법, 이에 의해 제조된 게르마늄-게르마늄 산화막-고유전율 절연막 및 상기 게르마늄-게르마늄 산화막-고유전율 절연막을 포함하는 전계 효과 트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명의 게르마늄-게르마늄 산화막-고유전율 절연막의 제조방법은 간단한 방법으로 high-k 물질과 이산화게르마늄의 이종접합 산화물을 형성하여 계면 결함을 현저히 낮추고, 이를 바탕으로 C-V 특성, 히스테리시스 등의 전기적 특성이 향상된 게르마늄-게르마늄 산화막-고유전율 절연막을 제조할 수 있다.