본 발명에 따른 발광다이오드 장치는, 발광다이오드(10) 상에 형광수지층(20)이 형성되고 발광다이오드(10)와 형광수지층(20) 사이에 버퍼층(15)이 개재되어 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 발광다이오드(10)와 형광수지층(20) 사이에 버퍼층(15)이 개재되고, 이러한 버퍼층(15)이 발광다이오드(10)보다는 작고 형광수지층(20)보다는 큰 굴절률을 갖기 때문에, 광추출 효율이 향상되고 형광수지층의 열적 열화가 방지된다.
