본 발명은 원자층 증착법으로 산화물 박박을 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스 및 상기 할로겐 도핑 소스의 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 할로겐 원소 소스를 이용하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법, 및 상기 방법을 이용하여 형성된 할로겐이 도핑된 산화물 박막에 관한 것이다.본 발명에 따른 원자층 증착법으로 산화물 박막 을 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스는 하이드로겐 할라이드가 물에 희석된 용액이다. 또한, 본 발명에 따른 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법은: 48 내지 51%로 희석된 하이드로겐 할라이드를 제공하는 단계; 상기 희석된 하이드로겐 할라이드를 디아이(DI) 워터에 첨가하여 희석 용액을 형성하는 단계; 산화물 박막이 형성된 기판을 원자층 증착용 챔버에 배치하는 단계; 및 상기 희석 용액을 상기 챔버 내부로 분사하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 치환하는 단계를 포함한다.