제목

산화물 반도체 소자의 제조 방법

출원인

삼성디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단

출원일

2015.12.30

공개일

2017.07.11

게시글 내용

본 발명의 실시예는 산화물 반도체 소자의 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 반도체 소자의 제조 방법은, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 상부에 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계; 상기 산화물 반도체 박막에 자외선을 조사하면서 상기 기판을 가압 열처리하여 액티브층을 형성하는 단계; 및 상기 액티브층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함한다. 

첨부

공개전문PDF