본 발명은 저 에너지 레이처 열처리를 통한 비정질 실리콘막 결정화 방법 및 그 방법으로 제조된 반도체 소자에 관한 것으로, (a) 얼라인 키가 형성된 반도체 기판 상부에 비정질 실리콘(Si)막을 형성하는 단계; (b) 상기 비정실 실리콘막 상부에 상기 비정질 실리콘(Si)막 보다 열전도도(thermal conductivity)가 낮고 발열층으로 사용하는 비정질 실리콘화합물막을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 얼라인 키 영역의 비정질 실리콘화합물막 상부에 엑시머 레이저를 조사하여 상기 비정질 실리콘(Si) 및 비정질 실리콘화합물막 일부 영역을 결정화하는 단계를 포함한다.이와 같은 본 발명은, 저 에너지 레이저를 이용하여 얼라인 키 영역을 결정화는 방법을 제공하고, 낮은 에너지에 의해 박막 데미지를 감소시켜 공정 수율을 높일 수 있는 하드마스크용 비정질 실리콘막의 결정화 방법 및 그 방법으로 제조된 반도체 소자를 제공한다.