본 발명에 따른 비정질 실리콘 막을 결정화하는 방법은 반도체 기판의 적어도 일부에 비정질 실리콘 막을 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘 막 위에 캡핑 층을 형성하는 단계; 상기 캡핑층이 형성된 비정질 실리콘 막의 미리 정해진 위치에 엑시머 레이저를 이용하여 열처리하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 반도체 소자에 형성되는 비정질 실리콘 막의 적어도 일부를 결정화하는 방법을 이용하면 하드마스크, 박막 트랜지스터의 채널층 등에 형성된 비정질 실리콘 막을 액시머 레이저 어닐링 법을 이용하여 일부를 결정질 실리콘 막으로 형성한 경우에도 표면 거칠기가 불량해지지 않음으로서, 엑시머 레이저 어닐링 이후에 추가의 표면을 평탄하게 하는 단계가 필요 없으므로, 결정질 실리콘 막의 제조가 용이해진다.