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본 발명에 따라서 Si 기판을 제공하는 단계; 상기 Si 기판 상에 Ge 에피층을 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 Ge 에피층을 성장시킬 때 붕소 또는 인을 추가적으로 공급하여, 상기 붕소 또는 인이 상기 Ge 에피층에 포함되도록 하여, 상기 Si 기판과 Ge 에피층의 격자 상수 불일치에서 비롯되는, 상기 Ge 에피층의 표면이 울퉁불퉁해지는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 Ge 에피층의 표면 거칠기 개선 방법이 제공된다.
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