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일 측면에 따라 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법을 제공한다. 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법은 주석 산화물 반도체의 전구체 용액을 제조하는 단계; 상기 전구체 용액을 기판에 도포하는 단계; 및 상기 전구체 용액이 도포된 기판을 열처리하는 단계를 포함한다. 이때 형성하고자 하는 상기 주석 산화물 반도체의 반도체 유형(semiconductor type)에 따라 상기 전구체 용액에 다른 주석 원자가를 갖는 주석 화합물을 사용할 수 있다.
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