본 발명에 따라서 전도성 필라멘트의 위치 및 개수를 제어하여 전기적 특성을 제어할 수 있는 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자(ReRAM) 제조 방법이 제공되는데, 상기 방법은 (a) 기판을 제공하는 단계와; (b) 상기 기판 상에 하부 전극층을 형성하는 단계와; (c) 상기 하부 전극층 상에 저항 스위칭 특성을 나타내는 금속산화물을 형성하는 단계와; (d) 상기 금속산화물을 보호하고 상기 금속산화물에 원하는 형태 및 개수로 전도성 필라멘트를 형성하기 위한 보호막을 형성하는 단계와; (e) 포토리소그래피 공정을 이용하여, 상기 보호막을 상기 금속산화물까지 식각하여, 보호막의 특정 부분이 제거된 패턴화된 구조를 갖는 보호막을 형성하는 단계와; (f) 상기 보호막 전면에 걸쳐 금속 임플란트 공정을 수행하여, 상기 패턴화된 구조에 대응하여, 상기 금속산화물에 금속이 많은 영역을 국부적으로 형성하여, 전도성 필라멘트를 형성하는 단계와; (g) 상기 패턴화된 구조의 보호막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.