본 발명은 코로나 방전을 이용한 입자 하전장치에 관한 것으로서, 팁-평판형 전극을 통해 입자를 1차 코로나 하전시킨 후 슬릿 유전체 장벽 표면에서 발생되는 방전작용을 통해 다시 2차 방전시킴으로써 입자의 하전량을 증대시켜 하전효율을 향상시킬 수 있는 슬릿 유전체 장벽을 이용한 MEMS 기반 초소형 입자 하전장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 산화막이 형성된 실리콘 기판에 포토레지스트를 도포한 후 패터닝하는 단계와, 상기 패터닝된 포토레지스트를 마스크로 사용하여 산화막을 에칭(etching)한 후 포토레지스트를 제거하는 단계와, 에칭액을 사용하여 실리콘 기판을 이방성(anisotropic) 에칭하여 팁 형상의 방전부를 형성하는 단계와, 실리콘 기판 표면에 잔존하는 산화막 및 포토레지스트를 제거하는 단계와, 실리콘 기판에 형성된 팁 형상의 방전부 영역에 다시 산화막을 형성한 후 전도성 금속을 증착하여 도전층을 형성하는 단계를 통해 팁 형상의 제1전극을 제조하고; 글래스 기판 위에 전도성 금속을 증착하여 도전층을 형성하는 단계와, 상기 도전층 위에 포토레지스트를 도포한 후 패터닝하는 단계와, 패터닝된 포토레지스를 마스크로 사용하여 도전층을 에칭한 후 포토레지스트를 제거하는 단계와, 상기 에칭된 도전층 위에 유전체 물질을 도포하여 유전체층을 형성하는 단계와, 상기 유전체층 위에 포토레지스트를 도포한 후 패터닝하는 단계와, 상기 패터닝된 포토레지스트를 마스크로 사용하여 유전체층을 에칭하여 슬릿(slit)이 형성된 유전체 장벽을 형성하는 단계를 통해 슬릿 유전체 장벽이 형성된 판 형상의 제2전극을 제조한 후; 상기 공정을 통해 제조된 팁 형상의 제1전극 및 상기 슬릿 유전체 장벽이 형성된 판 형상의 제2전극을 상호 일정거리 이격시켜 서로 마주보도록 배치한 상태에서 패키징(packaging)하여 제조하는 것을 특징으로 한다.