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본 발명은 고체 전해질을 이용한 저항 변화 메모리에 관한 것으로서 금속을 포함하는 고체 전해질 및 고체 전해질에 전압을 인가하는 전극을 포함하고, 고체 전해질에 적어도 하나 이상의 금속층이 삽입되어 있는 것을 특징으로 하며, 전극과 전극 사이에 있는 고체 전해질 내의 고저항 영역과 저저항 영역의 분포를 균일하게 만들 수 있어 멀티 레벨 동작에 필요한 레벨 간 저항값 마진이나 레벨 내 저항값의 산포를 줄일 수 있다.
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