제목

가변 저항 메모리 소자 및 이의 제조 방법

출원인

에스케이하이닉스 주식회사, 연세대학교 산학협력단

출원일

2011.12.03

공개일

2013.06.12

게시글 내용

본 발명은 가변 저항 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 복수의 메모리 셀들의 어레이를 포함하는 가변 저항 메모리 소자가 제공된다. 상기 복수의 메모리 셀들 각각은, 제 1 및 제 2 전극들; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극들 사이에 배치되는 SbmSen 재료막을 포함하며, 상기 SbmSen 재료막은, 복수의 Sb 원자들과 복수의 Se 원자들이 서로 접촉하는 상분리 구조를 포함한다

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