본 발명은 수직 정렬된 실리콘 나노선 위에 산화아연을 증착하는 방법으로서 아연 원을 증착 반응기에 공급하여 실리콘 나노선 위에 아연화합물을 흡착시키는 단계, 미반응 아연 원 및 반응 부산물을 제거하는 제1퍼징단계, 상기 반응기에 산소원, 질소원을 혼합하여 공급하고 아연 함유 화학종이 흡착된 실리콘 나노선 위에 산소함유 화학종을 흡착시키고 질소도핑하는 단계 및 미반응 산소원 또는 질소원을 제거하고, 반응 부산물을 제거하는 제2퍼징단계를 포함한다. 본 발명에 의해서 원통형 나노선 실리콘 기판에 증착되는 산화아연 박막의 균일도가 향상되고 비교적 낮은 온도공정에서 박막의 증착을 수행하게 됨으로 인해서 기판의 변형에 대한 우려가 감소하게 된다.