제목

저온 액상기반의 산화물 반도체 박막의 제조 방법 및 그를 포함하는 박막 트랜지스터

출원인

연세대학교 산학협력단

출원일

2010.12.10

공개일

2012.06.20

게시글 내용

본 발명은 350℃ 이하의 저온에서 졸-겔 공정을 이용하여 산화물 박막을 형성하는 제조 방법에 관한 것으로, 질산염 전구체를 이용하여 저온에서 산 화물 반도체 박막을 형성하는 방법; 및 상기 산화물 박막의 적층형 채널을 포함하는 저온에서 고성능의 박막트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명 방법에 따르면 350℃ 이하의 낮은 온도에서, 졸-겔 공정을 이용하여 간단하고 공정 비용이 저렴한 산화물 반도체 박막의 제조가 가능하다.

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