- 제목
- 갈륨 나이트라이드 나노와이어의 수직 성장 방법
- 출원인
- 삼성전자주식회사, 연세대학교 산학협력단
- 출원일
- 2010.09.03
- 공개일
- 2012.03.13
- 게시글 내용
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갈륨 나이트라이드 나노와이어의 수직 성장방법이 개시된다. 개시된 갈륨 나이트라이드 나노와이어는, 기판 상에 제1촉매층과 제2촉매층을 순차적으로 증착하는 단계와, 상기 기판을 제1온도로 가열하고, 갈륨 전구체와 질소 전구체를 상기 기판 상으로 공급하여 상기 기판 상에 수직으로 갈륨 나이트라이드 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함한다.
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