본 발명에 따른 상변화 메모리 소자는, 상변화 재료막(14)으로 구성된 패턴; 상기 상변화 재료막(14)에 접촉하여 전기 신호를 제공하는 제1전극(11), 제1전극콘택(13) 및 제2전극(16)을 포함하며, 상기 상변화 재료막(14)은 질화 붕소(BN)를 첨가하며, 상기 상변화 재료막(14)에 접촉하는 제1전극(11), 제1전극콘택(13), 제2전극(16) 및 상변화 재료막을 보호해주는 제1절연막(12) 및 제2절연막(15)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
