본 발명의 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치의 자체 수리 방법은 고장 메모리 셀들을 어드레스에 따라 선도 메모리 셀 그룹, 보완 메모리 셀 그룹, 그리고 비보완 메모리 셀 그룹으로 분류하는 단계, 상기 선도 메모리 셀 그룹을 참조하여 제 1 초기 종결 조건 만족 여부를 판단하는 단계, 상기 제 1 초기 종결 조건을 만족하지 않는 경우, 상기 선도 메모리 셀 그룹 및 보완 메모리 셀 그룹을 참조하여 제 2 초기 종결 조건 만족 여부를 판단하는 단계, 및 상기 제 2 초기 종결 조건을 만족하지 않는 경우, 상기 고장 메모리 셀들을 스패어 메모리 블록으로 교체하는 단계를 포함한다. 이 경우, 상기 교체 동작은 상기 보완 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀과 이에 대응하는 선도메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀이 함께 수리되도록 한다.