- 제목
- 스핀 트랜지스터
- 출원인
- 삼성전자주식회사, 연세대학교 산학협력단
- 출원일
- 2009.05.11
- 공개일
- 2010.11.19
- 게시글 내용
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스핀 트랜지스터에 관하여 개시한다. 개시된 스핀 트랜지스터는, 정방향으로 스핀분극된 전자를 선택적으로 통과시키는 자성물질로 형성된 채널과 자성물질로 형성된 소스와 드레인 및 상기 소스로부터 상기 채널로 주입되는 전자를 선택적으로 통과시키기 위하여 채널의 자화상태를 제어하는 게이트 전극을 구비한다. 상기 소스, 채널 및 드레인은 기판에 대해서 수직으로 순차적으로 형성되며, 상기 게이트 전극은 상기 채널을 감싸도록 형성된다.
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