본 발명의 일 측면에 따른 멀티-레벨-셀 비휘발성 메모리 소자는, 활성 영역 부분에서 역피라미드형의 함몰부가 형성된 반도체 기판; 상기 함몰부의 외측부의 반도체 기판 영역에 단위셀당 3개 이상이 형성된 복수의 소스/드레인 영역; 상기 함몰부의 내벽 상에 형성된 터널링 절연막; 상기 함몰부 내에서 상기 터널링 절연막 상에 형성되어 있으며 전하를 지역화하여 저장할 수 있는 전하 트랩 영역; 상기 전하 트랩 영역 상에 형성된 블로킹 절연막; 및 상기 블록킹 절연막 상에 형성된 공통 게이트 전극을 포함한다. 비휘발성 메모리, 플래시 메모리, 전하 트랩