본 발명은 ⅰ) 게르마늄 웨이퍼 표면에 수소 종단표면을 형성하는 단계; ⅱ) 상기 단계 ⅰ)의 수소 종단표면이 형성된 게르마늄 웨이퍼 표면을 요오드를 용해시킨 알코올을 이용하여 세정함과 동시에 적정두께의 양질의 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 게르마늄 웨이퍼 표면 세정 및 산화방법을 제공한다. 이를 통하여 뛰어난 세정효과를 얻음과 동시에 원자단위로 균질한 표면을 가진 적절한 두께의 산화막을 형성하는 세정 및 산화법을 제공하여 게르마늄 웨이퍼 상에 고유전체를 원자층 증착에 유리한 적정두께의 게르마늄 산화막을 제공한다. 요오드, 알코올, 게르마늄 웨이퍼, 산화, 세정
