본 발명은 플라즈마를 이용한 탄소 도핑 방법에 관한 것으로, 특히 4족 물질로 구성된 기판을 진공 반응기 내의 타겟 스테이지 상에 올려놓는 제 1 단계; 탄소 화합물을 포함하는 작용 가스를 상기 진공 반응기 내로 유입하는 제 2 단계; 상기 유입된 작용 가스를 고주파수 전자기장에 통과시켜 플라즈마 이온을 생성하는 제 3 단계; 및 상기 생성된 플라즈마 이온에 상기 기판과 수직 방향의 펄스 바이어스를 가해 상기 플라즈마 이온이 상기 기판 표면에 주입되어 도핑 되는 제 4 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. Si, Ge, SiGe, 플라즈마, 탄소, 도핑