본 발명은 모스펫 트랜지스터 및 그 제조방법(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor and Manufacturing Method thereof)에 관한 것으로, 소스와 드레인 각각의 채널측 하단부에 서로 다른 이온농도를 갖는 이중층 구조의 할로 도핑 영역을 형성함으로써, 반도체의 집적화에 따라 소스, 드레인과 벌크 사이에서 발생하는 BTBT(band to band tunneling)현상과 sub-threshold leakage의 발생을 동시에 방지할 수 있다. 반도체, MOSFET, 할로 도핑, 모스펫, BTBT