- 제목
- 플래시 메모리 소자의 제조방법
- 출원인
- 연세대학교 산학협력단
- 출원일
- 2008.08.07
- 공개일
- 2010.02.18
- 게시글 내용
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본 발명은 플래시 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 제1 절연막 및 고유전막으로 이루어진 이중 구조의 터널 절연막을 형성하는 단계와, 상기 터널 절연막 상에 제2 절연막, 블로킹막 및 도전막을 형성하는 단계와, 상기 도전막, 블로킹막, 제2 절연막 및 터널 절연막을 식각하여 게이트를 형성하는 단계를 포함한다. 터널 절연막, 이중 구조, SiO2, 고유전막, 누설 전류, 리텐션
- 첨부
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- 자료출처 : KIPRIS (https://www.kipris.or.kr)
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