- 제목
- 하프늄 실리케이트 박막 제조방법
- 출원인
- 연세대학교 산학협력단
- 출원일
- 2007.12.20
- 공개일
- 2009.06.24
- 게시글 내용
-
하프늄 실리케이트 박막 제조방법을 개시한다. 개신된 하프늄 실리케이트 박막 제조방법은 반도체 기판 상에 HfO2 와 SiO2를 화학기상증착법을 이용하여 증착하여 Hf-silicate 박막을 형성하는 단계 및, 박막이 형성된 반도체 기판을 불활성 가스 분위기에서 온도 600 내지 900°C로 열처리하는 단계를 포함한다. 박막에 적절한 계면 응력을 줌으로써 전하이동도를 조절할 수 있다. 하프늄 실리케이트, 계면 응력, 전하이동도
- 첨부
- 공개전문PDF
- 자료출처 : KIPRIS (https://www.kipris.or.kr)
- 키워드(검색어)별, 발명자별 특허(기술), 공개특허 한정 검색 가능
- 연구분야별 비공개 특허(기술)은 지식재산권 담당자 별도 문의
- 지식재산권 담당자
- 관련 문의처
보유특허 검색 페이지 및 담당자 정보 안내 특허 출원인 (권리자) 전담부서 연락처 연세대학교 산학협력단 본교 산학협력단 지식재산팀 지식재산팀 양지혜 팀장
(02-2123-5138 / jh.yan@yonsei.ac.kr)연세대학교 원주산학협력단 원주산학협력단 기술경영팀 기술경영팀 오정환 팀장
(033-760-5251 ~ 5252 / WJDGHKSA@yonsei.ac.kr)