실리콘계 나노선 표면의 선택적 금속규화물화 방법이 제공된다.본 발명에 따른 실리콘계 나노선 표면의 선택적 금속규화물화 방법은 (a) 기판상에 하나 이상의 실리콘계 나노선을 배열하는 단계; (b) 상기 실리콘계 나노선의 상부에 마스크 패턴을 형성시키는 단계; (c) 상기 마스크 패턴의 상부에 스퍼터링방법 또는 원자층 증착법에 의하여 금속박막을 적층시키는 단계; 및 (d) 상기 금속박막을 열처리하여 금속 규화물층을 형성하고 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하며, 이를 통해 표면처리된 나노선을 이용하여 트랜지스터 기타 디바이스를 제작하는 경우 나노선과 금속 배선과의 접합시 저저항의 컨택트를 이룰 수 있으므로 고집적 저저항의 고속 반도체 장치를 제조할 수 있다.