본 발명에 따라서, 순수 게르마늄 또는 거의 순수한 게르마늄에 가까운 실리콘-게르마늄 나노선의 제조 방법이 개시된다. 상기 방법은 (a) 실리콘-게르마늄으로 이루어진 나노선을 제공하는 단계와; (b) 상기 나노선을 산화 분위기 하에 두어, 상기 나노선 상에 방사상으로 실리콘 산화막을 형성하는 단계와; (c) 상기 (b) 단계에서 형성된 실리콘 산화막을 제거하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 실리콘-게르마늄 나노선 중의 실리콘 농도를 선택적으로 조절함으로써, 순수한 게르마늄 나노선 또는 거의 순수한 게르마늄에 가까운 실리콘-게르마늄 나노선을 얻을 수가 있다. 따라서, 이러한 나노선을 트랜지스터와 같은 반도체 소자에 적용하면, 홀의 이동도가 큰 게르마늄으로 인해 빠른 응답 속도를 갖는 반도체 소자를 구현할 수 있다.