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본 발명에 따라서 신규 구조의 다층 구조의 나노선이 제공된다. 상기 다층 구조의 나노선은 실리콘 또는 실리콘-게르마늄으로 이루어지는 제1 나노선 층과; 상기 제1 나노선 층 상에서 에피택시얼 성장 기법을 통해 성장시킨 상기 제1 나노선 층과는 상이한 이종의 제2 나노선 층을 포함하고, 상기 제1 나노선 층과 제2 나노선 층의 면간 또는 격자간 거리의 차이로 인한 스트레인에 의해 전자 또는 홀의 이동도를 향상시키는 것을 특징으로 한다.
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