본 발명의 세슘을 이용한 금속이온 스퍼터링 챔버(chamber)는, 세슘(Cs)을 이용하여 박막재료물질의 이온화를 활성화시키고 활성화에 관여한 물질을 차단시키며, 타게트(target)와 기판(substrate)에 인가된 소정 바이어스를 조절하여 발생된 음이온 박막재료물질의 에너지를 제어하는 챔버에 관한 것이다.본 발명은 제1전원이 인가되며 박막재료물질을 구비하고 있는 타게트장치, 소정의 분위기에서 박막재료물질의 이온화를 활성화시키기 위한 세슘을 구비하여 타게트장치로 공급하며 제2전원이 인가되는 세슘공급장치, 제3전원에 따라 박막재료물질의 활성화를 위한 소정의 활성화물질 입자들의 방출을 제어하며 이온화된 박막재료물질을 통과시키는 메쉬장치, 및 제4전원에 따라 메쉬장치를 통과한 이온화된 박막재료물질을 증착시키기 위한 기판을 지지하는 기판지지장치를 포함한다.따라서 본 발명은 타겟물질을 음이온화 시키는 세슘(Cs)을 이용하여, 소정 바이어스를 조절하여 발생된 음이온의 박막재료물질의 에너지를 제어함으로써 저온에서 기판상에 고품질의 박막을 증착함은 물론, 반도체소자를 위한 거의 모든 박막의 형성에 사용할 수 있다.챔버(chamber), 스퍼터링(sputtering), 전원(bias), 세슘(Cs), 메쉬, 저온